而有介质的接合技术在微机电制程中最常使用的如共晶接合(eutectic bonding)，共晶接合的接合机制是使两种金属材料在共晶温度时达到接合，如金 跟矽的共晶温度约为摄氏 363 度，其他有介质接合亦可以厚膜光...
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...导热硅胶、银胶(>15W/mk)甚至以助焊剂(Soldering Flux)焊锡(Cu-Sn-Au),将芯片焊接在金属基板,更或者以共金(Eutectic Bonding)制程将芯片熔接于硅芯片上这些固晶制程的选用,都在于降低芯片节点温度,提高在相同电流下的电 粉末冶金厂 光转换效率和增加光效能...
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下面详细分析其中一案例是镀银支架采用金锡共晶焊(Eutectic Bonding)固晶的实际应用过程中LED硫化失效的原因：1.老化测试本案例之老化测试有连续点亮老化48小时及On/Off点亮老化48小时两种.
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在碗形支架的内层中底部镀上导电优良的金属层；B.将发光晶片的底部与碗形支架内层底部的金属层通过共晶键合(Eutectic Bonding)的方式压焊结合；C.将晶片的正负极通过金线与基板的正负极相连接；D.
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以上来源于: WordNet
The principle of eutectic bonding was analyzed. The fabrication process of eutectic bonding was discussed, the test result of eutectic bonding was given.
分析了金硅共晶键合的基本原理，讨论了键合实验的基本工艺，给出了键合的测试结果。
This paper reports on an RF MEMS package based on LTCC technology and gold-tin eutectic bonding, and also evaluates physical and RF characteristics of the proposed structure.
本文报告了一种基于低温共烧陶瓷技术和金锡共晶焊料的射频微机电的封装技术，并评估了该封装结构的物理及射频特性。
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